電漿蝕刻 | 私立大學五星教授網

由 陳力輔 著作 · 2004 — 乾式蝕刻(Dry etch)，是以氣體電漿來蝕刻樣品的表面原子或分子。 影響乾蝕刻的因素包括：(1)蝕刻系統的型態；(2)乾蝕刻的參數；(3)前製. 程相關參數，如光阻、待蝕刻 ...

隨著科技日益進步電漿也廣泛的應用在半導體製造中，像在薄膜沉積製程中的濺鍍(Sputtering)、電漿化學氣相沉積(PECVD) ;蝕刻製程中的乾式蝕刻(Dry etching) ;在佈植技術方面 ...

針對最微小的特徵結構，原子層蝕刻(ALE) 可一次去除一些原子層的材料。而導體蝕刻製程可精確形成電晶體這類的關鍵電子元件，介電層蝕刻則可形成保護導電部分的絕緣結構。

摘要：電漿蝕刻製程在半導體晶片製造中為相當成熟的前段製程技術，已廣泛被應用於微機電(MEMS)微加工與立體(3D)封裝中的穿孔蝕刻等流程，而近年來因應後段半導體製程之 ...

電漿蝕刻. • CF. 4. 氣體在電漿中分解，產生氟自由基以. 進行氧蝕刻製程 e. −＊. + CF. 4 ... 電漿蝕刻反應室的示意圖. 製程氣體. Plasma. 反應室. 副產品被真空. 幫浦抽走.

蝕刻製程會移除晶圓表面的特定區域，以沉積其它材料。 「乾式」(電漿) 蝕刻主要用於形成電路的製程步驟；「濕式」蝕刻(使用化學槽浴) 則用於清潔晶圓表面。

被蝕. 刻的物質變成揮發性的氣體，經. 抽氣系統抽離。以活性離子蝕刻. 為例，就是利用電漿放電方式進. 行異向性蝕刻的方法。

... 電漿蝕刻設備，可控制蝕刻輪廓，. 同時能搭配製程參數蒐集與分析技術，進行高深寬比蝕刻製程。在本文中將介紹目前電漿深蝕刻設備建. 置現況與初步深蝕刻製程驗證結果。