現今廣泛應用的非晶矽薄膜電晶體而言，其電子遷移率較低(<1cm2/V．s)，擁有較高載子遷移率的非晶態金屬氧化物薄膜電晶體可望被應用在未來的高解析與高操作頻率之顯示器。
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