第二章 | 私立大學五星教授網

濕氧化(Si + 2H2O → SiO2 + 2H2 ) :簡單來說就是氫氧混合(H2O)，在高溫爐. 管內分離成H 和H-O(氫氧根)。 -濕氧化的生長速率比乾氧化快。 4. Page 8. 注意: 要進行濕氧 ...

濕氧化法（Wet oxidation）. 3.水氣氧化法（Stream oxidation）. 4.摻氯氧化法（Oxidation with Cl）. 濕氧化法又有:普通濕氧化法及氫氧合成濕氧化法。 Page 28. 國家奈米 ...

由 嚴永民 著作 · 2011 — 濕氧化比乾氧化具有較高的氧化層. 成長速率。較厚的氧化層通常使用濕氧化製程，如整面全區氧化層成. 長。較薄的氧化層通常使用乾氧化製程，它能成長品質較好的氧化層薄. 膜 ...

• 化學，濕氧化或乾氧化. • 厚度. • 壓力. • 晶圓方向(<100> vs. <111>). 矽的摻雜物 ... 是高溫爐的15 °C/min 比較. 減少熱積存和較易的製程控制. • 減少熱積存和較易的製程 ...

... 乾氧化(dry oxidation)。 氧並非氧化製程中唯一可用的氧化物，另一常用的為氧及水的混合物，稱為濕氧化. (wet oxidation)，其氧化層成長速率遠快於乾氧化。成長速率較快 ...

由 蘇濬賢 著作 · 2004 — 其中較常用的熱氧化法又可分為乾氧化法(Dry oxidation)及濕氧化法(Wet oxidation)，而沉積法則分為LPCVD(低壓. 化學氣相沈積，Low Pressure Chemical Vapor Deposition， ...

2016年10月9日 — ➤乾氧(Dry oxidation)：將氧氣(O2)通入反應器內進行氧化，成長出來的氧化矽薄膜厚度較薄品質較佳，通常用來成長MOS的「閘極氧化層(Gate oxide)」。 ➤濕 ...

乾氧化(薄): 閘極氧化層、屏蔽氧化層. Page 5. 5. 9. Si. 摻雜. SiO2. SiO2. 矽. 場區氧化層. 場區氧化(field oxide;絕緣). 氧化物蝕刻. 元件區. 濕氧化(厚): 場氧化層、 ...

由 陳芝伊 著作 · 2008 — 在. 氧化部分可以經由乾氧化與濕氧化實驗以瞭解氧化物性質、成長速率以及成長機. 制，並瞭解乾氧化與濕氧化之間的差異。在擴散方面，本研究中需要將磷擴散至. 晶片內即藉由 ...