SiC-MOSFET的特徵

SiC由於漂移層的電阻比Si元件低,不須使用傳導度調變,可用高速元件構造之MOSFET以兼顧高耐壓與低電阻。MOSFET由於在原理上不會產生尾電流,取代IGBT時,可實現開關損耗的 ...

SiC-MOSFET的特徵

SiC由於漂移層的電阻比Si元件低,不須使用傳導度調變,可用高速元件構造之MOSFET以兼顧高耐壓與低電阻。 MOSFET由於在原理上不會產生尾電流,取代IGBT時,可實現開關損耗的 ...

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