SiC半導體的特徵 | 私立大學五星教授網

2023年11月3日 — 碳化矽是一種多功能的半導體材料，擁有強大的高壓、高功率、高溫、高頻等特性。這使得它在電動車、電動車充電樁、再生能源發電設備等應用中具有巨大的應用 ...

SiC因為利用高速元件構造之多數載子元件(蕭特基二極體與MOSFET)可實現高耐壓，可同時實現「高耐壓」、「低導通電阻」、「高速」。 而且由於能隙約為Si的3 倍寬，可實現即使 ...

2023年9月19日 — 碳化矽是一種多功能的半導體材料，擁有強大的高壓、高功率、高溫、高頻等特性。這使得它在電動車、電動車充電樁、再生能源發電設備等應用中具有巨大的應用 ...

碳化矽是目前正在研究的半導體，已在快速切換、高溫及高電壓的應用上，進行前期的大量生產。第一個可用的元件是肖特基二極體、之後是結型場效應管及高速切換的功率MOSFET。

2023年3月5日 — 以矽基半導體做成的功率元件或模組在高功率的應用上，其規格需求已呈現力不從心的瓶頸，科學家從化合物半導體元素找出適合應用範圍的材料與技術。碳化 ...

2022年7月18日 — 前言 碳化矽(SiC)功率電子是加速電動車時代到來的主要動能。以SiC MOSFET取代目前的Si IGBT，不僅能使切換損失降低80%以上，大幅縮減電力移轉時的能源損耗 ...

2021年9月22日 — 第三代半導體是目前高科技領域最熱門的話題，在5G、電動車、再生能源、工業4.0 發展中扮演不可或缺的角色，即使常聽到這些消息，相信許多人對它仍 ...

2023年10月23日 — 第三類半導體是以氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）等寬帶半導體原料為主，上一次介紹了氮化鎵，這次來看看碳化矽（SiC）。 由於SiC 晶圓成本遠高於矽晶圓 ...

2023年7月10日 — 業者指出，第三代半導體包括SiC與GaN等寬能隙材料，較傳統矽材料更能耐高溫、高壓及高頻的特性。GaN元件常用於900V以下領域、SiC則適用於1200V以上 ...

2023年8月9日 — 碳化矽（SiC） 是由矽（Si）與碳（C）組成，結合力強，性質較安定，具有低耗損、高功率的產品特性。SiC 適合作用於高壓、大電流的環境，例如電動車、電動 ...