四、碳化矽之製程.以下將針對碳化矽常用之半導體製程做介紹。1.高溫氧化.碳化矽為唯一可透過高溫氧化製程生成二氧化.矽的化合物半導體材料(compoundsemiconductor.
四、碳化矽之製程. 以下將針對碳化矽常用之半導體製程做介紹。 1. 高溫氧化. 碳化矽為唯一可透過高溫氧化製程生成二氧化. 矽的化合物半導體材料(compound semiconductor.
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