Ch7 Plasma | 私立大學五星教授網

由 陳力輔 著作 · 2004 — 解離氣體中帶電的粒子彼此會. 有庫倫作用力，所以這些帶電粒子會呈現集體化的行為特性。 乾式蝕刻(Dry etch)，是以氣體電漿來蝕刻樣品的表面原子或分子。 影響乾蝕刻的因素 ...

氣體在電漿中分解，產生氟自由基以. 進行氧蝕刻製程 e. −＊. + CF. 4. → CF. 3. + F + e. −. 4F + SiO. 2(s). → SiF. 4(g). + 2O. • 增進蝕刻化學反應. Page 5. 9. 電 ...

當通電之後，電流會通過燈絲加熱並且釋放出電子，電子會把管內氣體變成電漿（plasma），並讓日光燈管內的電流加大，當兩組燈絲間的電壓超過一定值之後燈管開始產生放電，使 ...

由 廖木生 著作 · 2004 · 被引用 1 次 — 一般常見乾式蝕刻技術有：電子迴旋共振(Electron cyclotron. Resonance)、活性離子蝕刻(Reactive Etching)、感應耦合式電漿. (Inductively Coupled Plasma)或變壓耦合式電 ...

10. 電漿蝕刻. ▫ CF. 4. 氣體在電漿中分解，產生氟自由基以進. 行氧蝕刻製程 e− + CF. 4. → CF. 3. + F + e−. 4F + SiO. 2. → SiF. 4(g). + O. 2(g). ▫ 增進蝕刻化學 ...

半導製程原理與概論Lecture 8. 蝕刻技術. (Etching). 嚴大任助理教授. 國立清華大學 ... 以活性離子蝕刻. 為例，就是利用電漿放電方式進. 行異向性蝕刻的方法。 ▫ 在電漿的 ...

。 ▫ 電漿蝕刻後的基材損壞較電漿沉積後的高，因為在PECVD中，基材暴露電漿只在沈積該. 開始，時間非常短；蝕刻基材則是製程完全暴露於電漿中。 207. Page 208. 電漿製程 ...

電漿的產生是靠極高動能的自由電子與氣體分子或原子碰撞。當氣體在高能量或強磁場作用下，會解離成帶負電荷的電子、帶正電荷的離子、以及帶活性自由 ...

離子蝕刻兼具物理與化學的特性，係適當的選擇與薄膜進行反應(蝕. 刻) 之氣體，通入反應室中並解離成電漿，並施與一偏壓，讓離子轟擊與. 電漿蝕刻同時進行，所以具有某種 ...