第三代半導體——碳化矽材料之製程與分析 | 私立大學五星教授網

2022年7月18日 — 前言 碳化矽(SiC)功率電子是加速電動車時代到來的主要動能。以SiC MOSFET取代目前的Si IGBT，不僅能使切換損失降低80%以上，大幅縮減電力移轉時的能源損耗 ...

2023年9月5日 — 經過長晶製程後之碳化矽晶體稱為晶柱或晶球(Boule)，會與頂部之石墨坩堝黏附，因此需將兩者分離。分離後的晶球會進行以下的程序：磨除籽晶面與圓頂面、外 ...

2021年8月9日 — SiC基板不止貴，生產製程還複雜，與矽相比，SiC很難處理。 合肥鑫晟光電科技設備與製程工程師@石大小生在其知乎專欄上分析了SiC生產的兩個難點，即基板和 ...

2022年1月3日 — 要生產出碳化矽（SiC）單晶（monocrystal或single crystal）基板，須從長晶（生長碳化矽單晶）做起，作法是將碳化矽粉體倒入長晶爐，在高溫且密閉的 ...

SiC Wafer 製造流程 · 1. 缐切站將碳化矽晶碇於加工前先進行晶向定位修正；再以多缐切割機搭配適當黏度的鑽石漿料進行晶碇切割， · 2. 導角站分別利用不同粗度的研磨砂輪， ...

2023年11月23日 — 超音波輔助研磨加工的機制，使得碳化矽陶瓷粉塵可以在研磨加工過程中，順利的排除，改善大量陶瓷粉塵填塞磨棒的狀況，使磨棒不會因磨削力下降而受力增加， ...

2022年1月3日 — 要生產出碳化矽（SiC）單晶（monocrystal或single crystal）基板，須從長晶（生長碳化矽單晶）做起，作法是將碳化矽粉體倒入長晶爐，在高溫且密閉的 ...

圖6、Infineon SiC晶圓雷射冷裂切割技術; 圖7、SiC晶圓離子佈植切割法製程; 圖8、Lapping/Grinding製程的加工機制比較; 圖9、DynamicAGE-ing®製程示意圖. 本文為 K卡會員 ...