原子層沉積技術之發展與應用 | 私立大學五星教授網

由 章詠湟 著作 — 這篇文章將詳細介紹製程原理、儀器設備與半導體工業上的應用。 Atomic layer deposition (ALD) has attracted a lot of attention recently for its excellent deposition.

ALD技術具有極佳的薄膜成長厚度控制性、階梯覆蓋性與大面積均勻性，此具有極高的應用價值，例如在元件越做越小的半導體產業中，ALD 已逐步取代傳統鍍膜製程。例如在鰭 ...

2023年4月5日 — ALD製程中，前驅物分子會於基材表面反應形成單層薄膜，因此在分子的設計上需要有高反應性、高熱穩定性、低副產物殘留等要素，才能有效應用於ALD領域。 【 ...

利用ALD技術成長Al2O3膜，以下探討在氫鈍化的矽基材(SiH)表面上成長Al2O3膜，分別描述其每步驟的反應：先通入第一種前驅物H2O進入腔體，水會在SiH基材表面產生單一原子層的 ...

由 柯忠廷 著作 — 本文將詳細介紹ALD 製程的原理，並根據筆者多年的經驗，. 由製程機制與設備設計等不同的觀點，探討各項影響薄膜沉積結果的關鍵因素。除此之外，本文 ...

前驅產物和材料表面發生連續的，自限性的反應。薄膜通過分別和不同的前驅產物進行反應緩慢沉積。原子層沉積是關鍵的半導體設備裝配方法，也可以成為一些奈米 ...

2023年12月4日 — ASMI的ALD設備包括加熱型ALD (Thermal ALD)和電漿型ALD (Plasma Enhanced ALD; PEALD)，加熱型ALD的原理是藉由化學前驅物氣體分子間之自發性化學反應來 ...