第五章電漿基礎原理 | 私立大學五星教授網

由 李世平 著作 · 2009 — 首先，本篇論文將討論電漿組成與電漿反應、PECVD氮化矽薄膜的形成. 原理與成長機制、以及各種製程參數的變化(包括，NH3與SiH4反應氣體的. 流量，以及RF功率等)對於氮化矽 ...

本公司致力於先進的PECVD 鍍膜製程的研發與生產，特別是金屬材料基材上的應用，目前本公司可以提供鍍膜類別有類鑽膜(DLC)、純矽膜(Pure Si)、碳化矽(SiC)、氮化矽(SiN)， ...

由 彭元宗 著作 · 2005 — 第二章研究背景介紹. PECVD 製程原理, 電漿原理、CVD Clean endpoint 介紹、電漿中RF Vdc Vpp 代. 表意義及Vdc 可應用在預知Wafer Arcing 發生的方法，Wafer Arcing 簡介。

微製程大都使用CVD技術來沉積不同形式的材料，包括單晶、多晶、非晶及磊晶材料 ... 電漿增強化學氣相沉積法（Plasma-Enhanced CVD，PECVD）：利用電漿增加前驅物的反應速率。

在大部分的電漿製程反應室中，游離率. 都低於0.001%. 3. 高密度電漿（HDP）源的游離率就 ... • PECVD 可以在較低的溫度下達到較高的. 沈積速率. Page 6. 11. 平均自由路徑( ...

本公司推出的PECVD 是一部單腔制程的電漿輔助化學氣相沉積系統，適用於200mm晶圓製造以及Ⅲ-Ⅴ族晶圓制程，可沉積製造薄膜包括氮化矽(SiNX) 和氮化矽氧化矽(SiO2) 碳化 ...

電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)是利用反應氣體轉爲電漿狀態時,所產生的活性基及離子的在基板上的化學反應形成薄膜的技術. 使用在化合物半導體及砂半導體製程上的氮化矽的保護 ...

樣的製程反應腔有時稱之為直接PECVD製程，與此不同之另一型冷電漿製程—Remote. PECVD (亦稱之為down-stream製程)。 ▫ 這兩者不同之處在於原料氣體是否直接被激發成電漿 ...