磊晶 | 私立大學五星教授網

2022年1月3日 — 磊晶是指透過在原有的基板上，長出薄薄一層結晶，以達到強化工作效能的目標。通常在磊晶過程中，會經過2個步驟：先在基板表面沉積化學物質，而後才會在 ...

2023年9月5日 — 目前碳化矽晶圓的主要規格有直徑、厚度、主平邊長度、次平邊長度、總厚度偏差、彎曲度與翹曲度、電阻率與缺陷數。磊晶片規格則有磊晶層厚度、厚度均勻性、 ...

磊晶（英語：Epitaxy），是指一種用於半導體元件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱磊晶成長（Epitaxial Growth），或指以磊晶 ...

磊晶用於在半導體製造中創造完美的矽晶體基底層，以便在晶體基底層上建構半導體元件、沉積具電性的晶體薄膜，或改變底層的機械特性以改善導電性。

磊晶晶圓是指用磊晶製程在基材表面生長薄膜所得到的單晶矽片。通過在基材（比如矽晶圓）上沉積一層同質或異質的薄膜作為磊晶層，可以實現對基材表面結晶 ...

因此，本文以磊晶程序為例討論如何降低及控制危害，增加生產. 效益，從原物料金屬有機及氫化物等製造生命週期依序討論，涵蓋製. 程危害預防與控制，包括；（1）金屬有機 ...

製程反. 應室. TCS+H2→EGS+HCl. EGS. 6. 晶體提拉: CZ 方法. 查克洛斯基方法. 石墨坩堝 ... • 磊晶層為一生長在單晶基片上單晶層. → 基片和上層間存在一特定之晶體關係.  ...