III

2011年2月8日—III-V族化合物半導體絕大部分屬於直接能隙半導體,不同於間接能隙之矽半導體。所謂直接能隙半導體則指電子從導帶底部掉落至價帶頂端,只產生能量的變化, ...

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2011年2月8日 — III-V族化合物半導體絕大部分屬於直接能隙半導體,不同於間接能隙之矽半導體。所謂直接能隙半導體則指電子從導帶底部掉落至價帶頂端,只產生能量的變化, ...

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