HKMG(High | 私立大學五星教授網

2019年8月5日 — 這類金屬閘極和高介電常數的絕緣氧化物都是多元素交錯沉積的層狀結構，其中每層材料的厚度極薄，通常都在1-2 nm 以下，因此在層狀厚度、介面平整度和成份 ...

2022年1月21日 — 淺談鰭式晶片架構原理與發展. 廣告（請繼續閱讀本文）. 隨著摩爾定律（Moore's ... high-k／metal gate），介電層的k 值愈大，氧化層電容（Cox）愈大，電 ...

2008年6月20日 — High k能減少閘極漏往基極的電流，可節省晶片的功耗用電，使晶片更省電運作。 High k材質既然能提供更佳的絕緣性，那麼SOI的絕緣層也可以使用，將二氧化矽 ...

2018年8月8日 — 價鍵，因此High k像是由許多的dipole所組成，而dipole受到溫度的影響而震盪則. 會產生電磁波，進而造成remote phnon scatter而使得mobility下降，再加上Si ...

Low-K spacer/high-K gate dielectric supress fringing. 6184072. 2001/2/6. Motorola. Deposition Method. Metal/SiO2 stack+diffusion. 6172407. 2001/1/9. AMD. Gate ...

2007年7月31日 — k值越高，電晶體之電容值也越高，使得電晶體能正確的切換於”開”或”關”狀態。 同時一種相容於High-k介電質之上的金屬閘極(Metal Gate)，Intel 於2003年提出 ...

2021年1月24日 — 按照这一想法采取的第一个步骤是大约在130nm工艺节点前后，人们引人了氮来形成氮氧化物( oxynitride)栅介质，称为氮氧化硅(SiON), 它能提供的K值为4.1-4.2 ...

2007年12月24日 — high-k/metal gate技術預計可在2009-2010年達到32nm世代的量產化，如圖一所示，藉此技術的增進得以降低元件的驅動電流並抑制漏電流，使32nm以下大型積體 ...

High-k + Metal Gate Transistor. Silicon. Gate. Metal. Gate. High-k. Insulator ... 45nm 製程High-K 氧化層與金屬閘極. （簡稱HKMG） 45nm 引入了高介質. （high-K）絕緣 ...