摻雜(半導體) | 私立大學五星教授網

在本質半導體中，帶電荷的載子有兩種，就是自由電子與電洞。 ... 所以電子濃度等於電洞濃度，我們將電子濃度或電洞濃度稱為本質濃度。 ... 溫度之上升而增加. * 再結合 ...

熱平衡狀態下，本質半導體的載子濃度受到溫度、有效質量以及能隙的影響。 室溫下：矽的ni = 9.65 x 109cm-3. 砷化鎵的ni=2.25 x 106cm-3. 溫度越高，ni越大。 以GaAs為例 ...

=單位體積的本質半導體內自由電子與電洞數. ▫ B = 7.3 × 1015 ... 的濃度，不是溫度… 17. Page 18. 1.8.經摻雜的半導體 ... ▫ 載子擴散–電荷載子由高濃度區域流往低濃度區域.

本質載子濃度. 其中， B 為常數，與特定之半導體材導有關. Eg 與溫度之關係不重 k 為Boltzmann 常數=86×10-6 eV/°K. Example 1.1：. T=300 °K 求矽之本質載子濃度. 解： ...

電洞濃度p，即在本質（intrinsic）或純質半導體，其載子濃度表示如 ... 濃度無關，. 僅與溫度大小有關。 np 2 i n. 電中 ... 濃度與負電荷總濃度. 相等。 Page 9. 1－9.

摻 （ ㄘㄢ ） 雜（英語：doping）是半導體製造工藝中，為純的本質半導體引入雜質，使之電氣屬性被改變的過程。 ... 摻雜物濃度對於半導體最直接的影響在於其載流子濃度。

當溫度升高使得部分價電子躍升至傳導帶後，價帶出現上述之 ... ，而ni 為本質（intrinsic）載子濃度，對於矽晶體 ... 2，當溫度為0 k 時ni = 0，溫度上升則ni. 很靈敏的 ...

在常見的Neaman 固態電子學教科書中，電子濃度（$n-equiv N/V$）的推導是藉由自由電子氣體模型的能階密度所類比得到的。我希望能在這篇文章，由半古典電子動力學模型、 ...

... 溫度上升時，熱提供了能量進而打斷了共價 ... 本質半導體中電子的濃度以n 表示，電洞的濃. 度以p ... 某個實驗中，想讓一個半導體中電子與電洞的電流密度相同，則載子的濃度.

由 修宇鋒 著作 — 在這邊我們要說明一下，異質半導體其載子濃度與溫度關係可分為摻雜區、飽和區及本質區三. 部分：在低溫時位於摻雜區載子濃度會因外來雜質隨著溫度升高解離而增加；但到某 ...