反應離子刻蝕 | 私立大學五星教授網

感應耦合電漿（ICP）蝕刻是在標準反應離子蝕刻（RIE）的基礎上，添加電感耦合電漿的。感應耦合電漿由磁場圍繞石英晶體管所提供。產生的高密度電漿被線圈包圍，將充當變壓器 ...

離子蝕刻兼具物理與化學的特性，係適當的選擇與薄膜進行反應(蝕. 刻) 之氣體，通入反應室中並解離成電漿，並施與一偏壓，讓離子轟擊與. 電漿蝕刻同時進行，所以具有某種 ...

反應離子蝕刻（英文：Reactive-Ion Etching，或簡寫為RIE）是一種半導體生產加工工藝，它利用由電漿體強化後的反應離子氣體轟擊目標材料，來達到刻蝕的目的。

2022年10月18日 — 它的基本原理是在真空低气压下，ICP射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极的 ...

本文將介紹感應耦合電漿. 離子蝕刻製程所發展出來的光通訊元件，包含微型光開關與多工／解多工器之設計與詳細製程。 The development of high aspect ratio ICP-RIE Si dry ...

半導製程原理與概論Lecture 8. 蝕刻技術. (Etching). 嚴 ... 加速蝕刻物垂直方向蝕刻率，而. 得到異向蝕刻的結果。 ... O2、SF6，ICP RF最大. 功率900W，Bias RF最. 大功率 ...

2021年1月18日 — 其基本原理是先在半导体材料表面加工成型特定图案的掩模，然后用ICP-RIE设备控制刻蚀气体刻蚀掉没有掩模的地方，最终留下特定的图案。 ICP-RIE设备可以 ...

2023年9月27日 — 乾蝕刻（Dry etching）是一種常用於微電子製程中的表面處理技術，用於在固體材料表面上創建微細的結構和圖案。它是一種非液體化學蝕刻方法， ...