非晶相銦鎵鋅氧化物薄膜電晶體之電性分析與以深埋氧化層 ... | 私立大學五星教授網

短通道效應（英語：short-channel effects）是當金屬氧化物半導體場效應管的導電溝道長度降低到十幾奈米、甚至幾奈米量級時，電晶體出現的一些效應。這些效應主要包括 ...

2023年6月11日 — Lg縮小時遇到的不理想效應，統稱為短通道效應(SCE short channel effect)。 ... Drain-Induced Barrier Lowering (DIBL) ：當Lg ... DIBL接近0代表linear與 ...

DIBL效應是指，當漏極加上高電壓時。由於柵很短，源極同時受到漏極電場的影響，在此電場影響下，源結勢壘降低。且漏極耗盡層擴展，甚至跟源結的耗盡區相連，至使器件無法關 ...

(Drain-Induced Barrier Lowering, DIBL)與降低短通道效應發生,也因為Pocket 降低電荷共享情況並且對源. 極與汲極的電場有阻隔的效果降低元件貫穿的可能性。 二、量測元件.

2020年7月30日 — Body effect: 在body施加比S極更低的電壓空乏區往通道延伸空乏區變大使閥值電壓(Vt)變大short channel effect:在D極施加高電壓D極的空乏區變大通道變 ...

... 短通道效應(short-channel effect, SCE)也愈來愈明顯，所顯示的指標有汲極引起的能障降低(drain-induced barrier lowering, DIBL)與通道的貫穿效應(Punch-through effect) ...

2020年11月4日 — 解释二:沟道长度减小到一定程度后出现的一系列二级物理效应统称为短沟道效应。如漏致势垒降低(DIBL)，随着漏源电压的增大，漏衬反偏PN结空间电荷区展宽， ...

方，汲極引致能障降低(DIBL)相當嚴重，為短通道效應的指標之一。由於D2、D3. 的平面式電晶體開關比不到兩個次方，較無討論的價值，接下來只討論D4 的平面. 式電晶體。圖 ...

短溝道效應（英語：short-channel effects）是當金屬氧化物半導體場效應管的導電溝道長度降低到十幾納米、甚至幾納米量級時，電晶體出現的一些效應。這些效應主要包括閾值 ...

由 林軒毅 著作 · 2013 — 藉由此新型結構，短通道效應將得以改善。在此結構中，帶有電荷之深埋氧化層為汲極電場之收集者，利用此效應可進一步改善超薄體金氧半電晶體中的短通道效應。本研究中以 ...