MOSFET正面金屬化製程比一比:濺鍍vs.化鍍

2019年2月13日—正面金屬化製程的目的,就是藉由濺鍍或化鍍方式形成凸塊下金屬層,接著做銅夾銲接,以降低導線電阻。本文將完整描述正面金屬化的關鍵兩道製程:濺鍍與 ...

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