MBE分子束磊晶法UHV sputter e | 私立大學五星教授網

唯一的缺點是裂解的過程會出現副產物氫氣，. 必須使用排氣式的幫浦，例如擴散幫浦或渦輪幫. 浦，加以抽除。而所使用幫浦的排氣量便決定了最. 大可使用的分子束通量。 另 ...

分子束磊晶於高真空或超高真空（ultra-high vacuum，10−8帕斯卡）的環境進行。分子束磊晶最重要的方面是其低沉積率，通常使薄膜以每小時低於3000奈米的速度磊晶生長。

的優點在於分子束成分均勻， 可藉控制加熱線圈. 的溫度，來得到穩定的蒸發速率；其缺點在於分子. 束範圍較窄，無法蒸鍍面積較大的樣品，並且由於. 是以燈絲加熱，加熱溫度 ...

MBE技術發展較早，在磊晶的過程中厚度的控制較為精確，但缺點是均勻度較難掌握；MBE技術大多用以生產pHEMT（假型高速電子場效電晶體）元件。目前採用MBE生產磊晶的的 ...

Asz束,其缺點是As會很快耗盡。 對於其他I-V族化合物半導體分子束磊晶來. 說,它們的動力學過程在很多方面類似於GaAs的生. 長過程,而對於多元化合物的分子束磊晶來說,要長.

分子束外延最重要的方面是其低沉積率，通常使薄膜以每小時低於3000奈米的速度磊晶生長。如此低的沉積率要求真空程度足夠高，以達到其他沉積方式同等級別的潔淨程度。 在 ...

在這篇論文中，我將會報告利用分子束外延(molecular beam epitaxy)成長在砷化鎵(GaAs)上的鋁奈米薄膜(Al nanofilms)在低溫下表現的傳輸特性。利用此方法所成長的鋁奈米 ...

MBE是以真空蒸镀的方式进行磊晶，蒸发的分子以极高的热速率，直线前进到磊晶基板之上，以快门阻隔的方式，控制蒸发分子束，获得超陡界面。 · 生长一层薄薄的磊晶在半导体 ...

2019年3月3日 — 若以量產速率分析MOCVD和MBE磊晶設備的優缺點，MOCVD為氣相方式導入反應腔體，其速度較MBE快1.5倍（MBE需時間加熱形成分子束）；但以磊晶品質來說，由於 ...