分子束外延 | 私立大學五星教授網

分子束磊晶（英語：Molecular beam epitaxy, MBE）是使單晶材料生長的一種方法，由貝爾實驗室的J. R. 亞瑟（J. R. Arthur）和卓以和（Alfred Y. Cho）於1960年代後期 ...

一般的MBE 蒸鍍裝置有分子源坩堝(Knudsen cell, K ... 而電. 子槍裝置(圖2(b)) 的工作原理係將鎢絲在高電壓 ... 其中ρf 為蒸鍍物之密度，ρ 為石英體之密度，N 為. 周波數常數， ...

MBE本質上是一種具. 空蒸鍍技術,一般的真空蒸鍍法達不到半導體薄膜所. 需的高純度、晶體結構的完整性和雜質種類,濃度的. 高低控制的要求。 隨著超高真空技術的發展,源控制( ...

原理簡介： ... 分子束磊晶是利用加熱欲鍍材料提高其蒸氣壓，蒸氣分子在超高真空(10 -10torr以下)的環境下，以直線行進不與其他分子碰撞的情況下前進到基板之上，形成緻密的 ...

分子束外延的英文縮寫為MBE，這是一種在晶體基片上生長高質量的晶體薄膜的新技術。在超高真空條件下，由裝有各種所需組分的爐子加熱而產生的蒸氣，經小孔準直後形成的分子 ...

原理. 分子束外延的英文缩写为MBE，这是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的新技术。在超高真空条件下，由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸气，经小孔准直后 ...

2021年4月20日 — 分子束外延，就是在超高真空系统中把所需要的结晶材料放入到喷射炉中，将喷射炉加热。使结晶材料形成分子束，从炉中喷出后，沉积在温度保持在几百度的单晶 ...

其基本原理是在超高真空条件下，将组成薄膜的各元素在各自的分子束炉中加热成定向分子束入射到加热的衬底上进行薄膜生长（如图1所示）。 图1 分子束外延装置生长室的工作 ...