必須將已曝光的部分從晶圓上除去，蝕刻製程的功能 | 私立大學五星教授網

離子蝕刻兼具物理與化學的特性，係適當的選擇與薄膜進行反應(蝕. 刻) 之氣體，通入反應室中並解離成電漿，並施與一偏壓，讓離子轟擊與. 電漿蝕刻同時進行，所以具有某種 ...

乾蝕刻又被稱為等離子乾蝕刻，是從另一種材料的表面去除材料的過程。該過程是由於激發離子與材料的碰撞而發生的，無需使用任何液體化學藥品或蝕刻劑即可將其除去。

半導製程原理與概論Lecture 8. 蝕刻技術. (Etching). 嚴 ... ▫ 晶片旋乾機（3、4）. 各1台. ▫ 注水鵝頸龍頭、DI ... 加速蝕刻物垂直方向蝕刻率，而. 得到異向蝕刻的結果。

2020年10月6日 — 當蝕刻種源為薄膜所攜著時，晶圓板表面便將引起化學反應，反應後之物質將自表面脫離並循排氣排至外部，藉此進行蝕刻。 乾式蝕刻中，為使能夠獲得與感光圖 ...

2017年12月8日 — 干蚀刻：利用不易被物理、化学作用破坏的物质光阻来阻挡不欲去除的部分，利用电浆的离子轰击效应和化学反应去掉想去除的部分，从而将所需要的线路图形留在 ...

副產物為氣體、液體或可溶於蝕刻劑的固體. ▫. 三基本步驟：蝕刻、沖洗、旋乾. Page 5. 5. 9. 濕式蝕刻的應用. ▫. 濕式蝕刻不可在當CD < 3 µm時進行圖像蝕刻. ▫. 高選擇 ...

濕蝕刻是將晶片浸沒於適當的化學溶液中，或將化學溶淬噴灑至晶片上，經由溶液與被蝕刻物間的化學反應，來移除薄膜表面的原子，以達到蝕刻的目的。乾式蝕刻（又稱電漿蝕刻） ...

2010年7月5日 — 在濕蝕刻中是使用化學溶液，經由化學反應以達到蝕刻的目的，而乾蝕刻通常是一種電漿蝕刻(plasma etching)，電漿蝕刻中的蝕刻作用，可能是電漿中離子撞擊 ...