最佳化SiC MOSFET閘極驅動 | 私立大學五星教授網

SiC由於漂移層的電阻比Si元件低，不須使用傳導度調變，可用高速元件構造之MOSFET以兼顧高耐壓與低電阻。 MOSFET由於在原理上不會產生尾電流，取代IGBT時，可實現開關 ...

矽MOSFET有一個較小的「尾」電流，充當阻尼器或緩衝器，可在某種程度上減少過衝和暫態振盪。SiC MOSFET沒有這種尾電流，因此漏極電壓過衝和暫態振盪可能較高並造成問題。要 ...

2021年9月14日 — 矽MOSFET有一個較小的“尾”電流，充當阻尼器或緩衝器，可在某種程度上減少過衝和暫態振盪。SiC MOSFET沒有這種尾電流，因此漏極電壓過衝和暫態振盪可能較高 ...

2022年8月3日 — 我們定義了CoolSiC™ MOSFET不同溫度下的輸出特性曲線，如圖1左側所述。閾值電壓VGS(th)遵循器件的物理原理，隨著溫度的升高而下降，如圖1右側所示。

SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低，不需要进行电导率调制就能够以MOSFET实现高耐压和低阻抗。 而且MOSFET原理上不产生尾电流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT时，能够明显地减少 ...

2023年10月24日 — 我们定义了CoolSiC™ MOSFET不同温度下的输出特性曲线，如图1左侧所述。阈值电压VGS(th)遵循器件的物理原理，随着温度的升高而下降，如图1右侧所示。

2022年11月2日 — 本文會將Si 與SiC 進行比較，並探討第三代SiC MOSFET 的開發歷程，以及業界為何轉往第三代SiC MOSFET。 ... 從基礎SiC 材料科學和元件物理邁向商用SiC ...

2023年4月24日 — SiC元件的閘源電壓通常要求在18V~20V之間，以降低導通狀態下的導通電阻(RDS)。SiC MOSFET工作在低VGS下可能會導致熱應力或由於高RDS而可能導致故障。與低 ...