電子束微影系統e

名稱:電子束微影系統e-beamlithography用途:電子束微影加速電壓:0.5~30kV解析度:1.0nm(30kV)、3nm(1kV)放大倍率:x25~x650,000試片座移動範圍: ...

電子束微影系統e

名稱 :電子束微影系統e-beam lithography 用途: 電子束微影 加速電壓:0.5~30 kV 解析度:1.0 nm (30 kV)、3 nm (1 kV) 放大倍率:x25 ~x650,000 試片座移動範圍: ...

相關分類資訊

【逢甲大學材料科學與工程學系】Yoshinobu Kawai專任教授評價

YoshinobuKawai專任教授任職於逢甲大學材料科學與工程學系,專長為:電漿蝕刻、薄膜製程、ElectronBeamPlasma應用,以下為Yo...