化合物半導體碳化矽粉體材料技術探討

2022年5月5日—碳化矽(SiliconCarbide;SiC)是一種由碳和矽兩種元素組成的化合物半導體材料,具備寬能帶(EnergyGap,3.2eV)、熱導率高、耐擊穿電壓高、電子漂移速率 ...

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2022年5月5日 — 碳化矽(Silicon Carbide; SiC)是一種由碳和矽兩種元素組成的化合物半導體材料,具備寬能帶(Energy Gap, 3.2 eV)、熱導率高、耐擊穿電壓高、電子漂移速率 ...

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