作為半導體材料，砷化鎵適合用在光電 | 私立大學五星教授網

一般而言，MOCVD適合生產HBT（異質接面雙載電晶體）元件，而MBE技術則大多生產pHEMT（假型高速電子場效電晶體）元件，目前採用MOCVD生產磊晶的地區主要 ...

2019年3月3日 — 若以量產速率分析MOCVD和MBE磊晶設備的優缺點，MOCVD為氣相方式導入反應腔體，其速度較MBE快1.5倍（MBE需時間加熱形成分子束）；但以磊晶品質來說 ...

2013年6月7日 — 若細分三五族磊晶晶片製造上初分為MBE及MOCVD兩種主流方法，基礎概念上，MBE是透過兩種元素經放射後變為化合物，全球主要供應商為IQE和英特磊；而MOCVD ...

2020年9月13日 — ... MOCVD是將磊晶材料氣化後沈積在基板上，好處是磊晶成長速度快，成本低，壞處是磊晶生長品質控制不易；MBE ... MOCVD量產GaN磊晶，且良率不低，晶成半導體 ...

2022年2月21日 — MOCVD的生長速率與成本等，皆較MBE有優勢，產業化已臻成熟。而MBE則因成膜機理簡單、乾淨低污染，可進行多種即時分析測試，利於研究各種材料的生長過程及 ...

由 陳維鈞 著作 — 本研究中使用的磊晶方式為電漿輔助化學束磊晶系統，可結合MBE 與. MOCVD 兩者之優點成長InN ，使用三甲基銦與電漿解離之氮原子做為V 族與III 族之來源，而影響InN. 結晶 ...

2019年3月12日 — 以有機金屬化學氣相磊晶技術( MOCVD )來說，其適合HBT 及低階pHEMT，而分子束磊晶技術( MBE )，則用在製造MESFET 及高階pHEMT。 回到製程上，在基板上生長 ...

2021年6月1日 — 如果MBE相較於MOCVD沒有辦法有較突出或致命的打擊，那會不會公司在這方面 ... 若真的要比較的話，我認為真正要比較的是成長的增速。未來五年左右，砷化 ...