原子層沉積 | 私立大學五星教授網

2023年6月5日 — 雖然ALD製程具有無可取代的優點，但並非毫無可挑剔之處。ALD前驅物通常需高劑量且價格昂貴，同時又須具備高反應性、高氣化率與高熱穩定性，有些許矛盾，在 ...

由 章詠湟 著作 — 表1. 原子層沉積(ALD) 金屬化合物前驅物。 表2. 原子層沉積(ALD) 的沉積薄膜材料 ... 在原子. 層沉積窗口，薄膜沉積速率是固定的，不隨溫度改. 變，而通常無機金屬前驅物比 ...

在前驅物的選用上，. 早期ALD 製程多沿用傳統CVD 製程使用的前驅物，. 但隨著材料特性、製程溫度等改變，傳統CVD 前. 驅物已無法滿足需求，新穎前驅物開發逐漸受到重. 視。

原子層沉積的主要反應物有兩種化學物質，通常被稱作前驅物。前驅產物和材料表面發生連續的，自限性的反應。薄膜通過分別和不同的前驅產物進行反應緩慢沉積。原子層 ...

ALD主要藉由兩個基本的機制沉積：一為前驅物的化學吸附飽和程序(Chemisorption saturation process)，另一為輪替的(Sequential)表面化學反應程序。ALD的沉積流程可以分 ...

本公司開發各種CVD／ALD前驅物。而且，製作半導體用薄膜的CVD設備、評估薄膜用的各種分析儀器（FE-SEM、AFM、XRF等）產品俱全，依目的提供所需前驅物。

這些前驅物以一種連續的且自我限制的方式，一次與一種材料的表面反應。通過多個ALD循環，薄膜被緩慢沉積。 ALD為製造半導體元件的重要製程，並且是可用於合成納米材料主要 ...

2021年8月11日 — 可用於奈米級或原子級薄膜沉積，調控超薄薄膜優異特性之先進鍍膜技術。然而傳統的原子層沉積系統為了使金屬前驅物完全反應，需較高基板溫度來提供成長薄膜 ...

由 柯志忠 著作 · 被引用 1 次 — CVD 的前驅物組合幾乎都可以使用在ALD，表1. 列出常見材料的金屬前驅物(15,16)。由方程式6 可知. 前驅物的分壓決定通氣時間的長短，所以ALD 製. 程前驅物第一個考量是蒸汽 ...