批次ALD(原子層)鍍膜設備 | 私立大學五星教授網

原子層沉積（Atomic Layer Deposition, ALD）是可以被用來替換CVD、電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)和濺鍍技術的新製程。原子層沉積也是化學氣相沉積技術(CVD)的一種，其 ...

加熱與電漿化學氣相沈積雙鍍膜方案,可獲得高均勻性與保型性的超薄薄膜. 100% 保型,精確的厚度控制,優良的均勻性規格. PE MODEL 適合製程溫度低; 可運用於迭層 ...

ALD係利用前驅物氣體與基板表面所產生的自我侷限(self-limiting)交互反應 ... 台灣最先進的原子層鍍膜設備之一。此外，目前機台對基板無特別限制，大部分基材皆 ...

原子層沉積（ALD）為一種氣相化學沉積技術。大多數的ALD反應，將使用兩種化學物質稱為前驅物。這些前驅物以連續且自限的方式與材料表面進行反應。通過ALD循環的次數， ...

由 章詠湟 著作 — (ALD) 具備幾乎100% 的階梯覆蓋能力、低溫製. 程、高品質薄膜沉積技術及精準的膜厚控制，使得. 原子層沉積系統逐漸受到重視，並為未來的薄膜沉. 積技術開啟嶄新的一頁。 二 ...

由 柯志忠 著作 · 被引用 1 次 — 在本文中我. 們將介紹原子層沉積技術的原理、發展及機台設計的概念，並討論在半導體產業、功能性鍍. 膜與奈米結構鍍膜之應用。 The atomic layer deposition (ALD) is ...

原子層沉積（ALD）是一種真正的奈米技術，以精確控制的方式沉積幾個納米的超薄薄膜。 原子層沉積的兩個限定性特徵--自約束的原子逐層生長和高度保形鍍膜--給半導體工程， ...

2007年12月19日 — 此次發表的「原子層沉積(ALD) 鍍膜系統」，為一由下而上(Bottom→up) 的 ... 機台，同時也已接獲國內外研發單位的探詢。藉由此項技轉過程，將可 ...