碳化矽(SiC) 之雷射切片技術 | 私立大學五星教授網

碳化矽（Silicon Carbide，簡稱SiC）是一種化學化合物，由矽（silicon，簡稱Si）和碳（carbon，簡稱C）元素組成。它是一種廣泛應用的非金屬材料，因其一些獨特的物理和化學 ...

碳化矽是由矽(Si)與碳(C)組成的化合物半導體材料，比起傳統的矽材料有著以下優勢:更寬的能隙(3.3eV)、更大的導熱係數及更高的崩潰電場，代表碳化矽的電流傳輸、高溫 ...

2023年10月23日 — 第三類半導體是以氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）等寬帶半導體原料為主，上一次介紹了氮化鎵，這次來看看碳化矽（SiC）。 由於SiC 晶圓成本遠高於矽晶圓 ...

2023年9月5日 — 目前碳化矽晶圓的主要規格有直徑、厚度、主平邊長度、次平邊長度、總厚度偏差、彎曲度與翹曲度、電阻率與缺陷數。磊晶片規格則有磊晶層厚度、厚度均勻性、 ...

碳化矽基板的生產難度在於長晶的源頭晶種來源就要求相當高的純度、取得困難；另外 ... 在趨勢上，目前國際廠SiC晶圓生產正逐步從6吋轉進8吋，其中意法近日宣布 ...

2024年2月1日 — mins/ 片)，使得基板製造為當前碳化矽功率模組產品中，占比最大的成本來源( 約50%)。本文將介紹碳化矽晶錠分切成晶圓之雷射切片技術，闡述雷射改質碳化矽 ...

2024年5月14日 — 隨著全球對電動車、5G等產品的需求成長，近年來越來越多業者投入碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等化合物半導體的生產。為了製造前述這些高效能的晶片， ...

SiC晶圓（silicon carbide、碳化矽）屬耐高壓、低電力損耗的半導體材料、常被使用於功率元件。 碳化矽功率元件一般擁有縱向元件結構，透過將晶圓薄化可減低基板帶來的 ...

2024年5月9日 — ... 碳化矽晶圓；山東天岳到2026年時，產能將達到30萬片6吋晶圓，也將開始生產八吋碳化矽晶圓。Chiu Poshun表示，科銳在碳化矽材料及磊晶材料的市占率，在 ...

2021年8月9日 — SiC晶圓的主流尺寸一直是150mm (6吋)，每片晶圓能製造的晶片數量不大，遠不能滿足下游需求。真的這麼難嗎？包括SiC在內的第三代半導體產業鏈包括基板→磊 ...