改善液晶顯示器之大尺寸非晶矽薄膜電晶體的電特性 | 私立大學五星教授網

大部份的TFT是使用氫化非晶矽（a-Si:H）當主要材料，因為它的能階小於單晶矽（Eg = 1.12eV），也因為使用a-Si:H當主要材料，所以TFT大多不是透明的。另外，TFT常在介電、 ...

Array 工程是利用半導體製造工程，把薄膜電. 晶體製作在玻璃基板上，其中，清洗、沈積、黃光. 與蝕刻都是標準IC 製造工程，但因基板不同，. TFT LCD 使用的玻璃基板特性， ...

2022年7月30日 — 溝道採用非晶矽材料製成，非晶矽薄膜電晶體在結構和工作原理上和. 一般的MOSFET相似。具有MOS結構，並且也是場效應電晶體。 柵極在非晶矽中感應溝道 ...

非晶矽薄膜電晶體(a-Si TFT) 因在大面積基板上有好的均勻度、低製程溫度、以及高生產良率, 而成為主動式矩陣液晶顯示器(AMLCD)的主流技術。 近幾年為了降低成本的考量, ...

最常見的半導體層是由非晶矽(a-Si) 製成。20 多年來，a-Si 薄膜電晶體-液晶顯示器(TFT-LCD) 一直是製造主動矩陣TFT-LCD 的主導技術。a-Si 是一種供應充足的低成本材料。

傳統上，非晶矽薄膜電晶體主要應用於實現顯示面版，而不包括液晶螢幕的驅動電路。近年來，隨著system on glass (SOG)的概念提出，一些類比電路已經被整合到玻璃基板上 ...

由 CC Lin 著作 · 2010 — 而電路是用非晶矽薄膜電晶體(Amorphous Silicon TFTs,簡稱a-Si TFTs)作為電路的驅動元件。雖然非晶矽薄膜電晶體電子遷移率低,但是它的高均勻性和低成本，是做為產品化的最 ...

2010年11月16日 — 非晶矽薄膜(a-Si:H)通常是在低溫製程下成長(200~250°C)，且已被廣泛應用於大面積液晶螢幕上的薄膜電晶體元件和薄膜太陽電池。由於其非晶結構， ...

由 TS Chang 著作 · 2007 — 本論文提出一種具有低介電係數材料HSQ當做背通道蝕刻非晶矽薄膜電晶體的保護層。由於低介電常數材料HSQ具有高穿透率以及平坦化能力，故而當作薄膜電晶體之保護層可以 ...

本文將針對低溫複晶矽薄膜電晶體的產品特性進行介紹，. 說明低溫複晶矽技術和非晶矽薄膜電晶體在元件特性上的差異，. 除此之外也介紹低溫多晶矽的各項特殊製程，. 並指出 ...