CH08 場效電晶體 | 私立大學五星教授網

JFET工作於歐姆區可作為電壓控制電阻器（VVR）或稱變阻器。 △圖8-4 N通道JFET工作於歐姆區. (a) 在VGS ≠ 0且VDS ...

依工作原理可粗分為雙極（載體）接面電晶體（bipolar junction transistor ... 當MOSFET在triode區，通道電子均. 勻分佈，閘極和通道間的電容為. WLCox ，均分為 ...

對這個NMOS而言，真正用來作為通道、讓載子通過的只有MOS電容正下方半導體的表面區域。當一個正電壓施加在閘極上，帶負電的電子就會被吸引至表面，形成通道，讓n-type ...

下面我們將較仔細的介紹n通道MOSFET 的工作原理以及元件在不同偏壓情形的變化。當 ... FET 應該偏壓在飽和區（或恆流區），. 閘極的電訊號疊加在原來之直流偏壓 ...

这个新的工作区被称为欧姆区或线性区，在此区域，MOSFET上的电流增加，并与施加在MOSFET漏极和源极之间的电压成线性比例，当然，它仍然受到栅源电压的限制（见图8）。 图8: ...

2021年11月4日 — mos管三个工作区为完全导通区、截止区、线性区. MOSFET工作区域的判定方法（NMOS）：. 当Vgs < Vth 时，截止区。

2022年10月18日 — 在功率MOSFET 的線性工作模式下，高電壓和高電流同時出現，因此通常MOSFET的功率消耗水準高於較常見的開關模式應用。 圖一顯示歐姆區、非線性區以及飽和或 ...

在本章中你將學到. ▫ MOS 電晶體的物理結構，以及它是如何運作的。 ▫ 電晶體中兩端的電壓是如何操控第三端的電流，以. 及描述這些電流–電壓特性的方程式。

很小時，MOSFET就如同一個由閘極電壓控制的可變電阻。當V. GS. =V t. 時，源極和汲 ... ，大部分都落在被夾止部分的空乏區，電子電位能到此區. 也會有一個很大的下降 ...