碳化矽(SiC)長晶與晶圓薄化設備的技術發展趨勢 | 私立大學五星教授網

2023年9月5日 — 碳化矽晶圓的製造流程與矽晶圓有所不同，本文將從碳化矽的原料合成、長晶製程、晶圓製備與磊晶等流程進行說明，另外也將針對晶圓的缺陷、平整度、電阻率、 ...

然而目前SiC長晶與晶圓薄化(切割、研磨、拋光)效率緩慢，使得目前製作成本居高不下，是SiC產業最關鍵的挑戰之一。因此本文透過觀察國際SiC晶圓領導廠商的動態與佈局，以及 ...

2023年11月26日 — 令人欣慰的是，台灣碳化矽產業上，將再添一名聚焦長晶生產新成員—格棋化合物半導體，公司創立才1年多，就快速籌得15億元的資金，後市發展備受各界注目。

2023年11月15日 — 目前環球晶有兩台長晶爐，6 吋碳化矽約5000 片。明年會擴到25 個長晶爐，最難的關鍵在長晶爐，目前找天虹科技來製作。 記憶 ...

國立中山大學晶體研究中心創全國大專校院之先，目前正自行研發晶體生長設備及相關技術，透過2200oC以上的超高溫生長出碳化矽晶體，是目前國內唯一具備生長6至8吋晶圓設備的 ...

2021年8月9日 — SiC晶圓的主流尺寸一直是150mm (6吋)，每片晶圓能製造的晶片數量不大，遠不能滿足下游需求。真的這麼難嗎？包括SiC在內的第三代半導體產業鏈包括基板→磊 ...

碳化矽，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化矽時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化矽在大自然也存在罕見的礦物 ...

2024年2月1日 — 碳化矽具極高的硬度( 莫氏硬度為9.3-9.5) 及極慢的長晶速度(0.7 cm/ 天)，碳化矽基板的取得就顯得不易與珍貴，目前最成熟之碳化矽基板取得技術為鑽石線 ...