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2022年6月3日 — 这时候根据公式1.3和公式1.4，跨导gm随着晶体管尺寸W/L增加，同时过驱动电压Vgs-Vth减小，而增大。在公式1.3中，如果漏端电流Id是恒定的，那么减小过 ...

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JFET 及空乏型MOSFET 的gm＝gmo×(1－. P. GS v v. )＝ p. DSS. V. I. 2. ×(1－ p. GS v v. ) B.增強型MOSFET 的gm＝2K×(VGS－VT).

✧ 電晶體之增益轉導gm. Page 3. (1) IDQ 愈大→gm 愈大. (2) 若Vds 大於Vds,sat → 飽和區IDQ 固定→gm 固定. (3) 若Vds 小於Vds,sat → 線性區IDQ 不固定→gm∞Kn. ✧ 例 ...

2012年6月6日 — ... gm=2Id/(Vgs-Vt) 至於第一行的公式請參考第三版獵殺7.4章節的FET小訊號模型下面的推導囉~ 小弟是批踢踢的新手所以很多符號不會打只能說聲抱歉了...

2023年10月10日 — 跨导（Transconductance）是电子元件的一项属性。电导（G）是电阻（R）的倒数；跨导是指电子元件的输出端电流与输入端电压之间的比值。跨导通常用gm表示。

互導公式推演. 編輯. gM=(Dlt*iDrn)/(Dlt*vGS). =muN*cOxd*(W/L)(vGS-vThr). =2iDrn/(vGS-vThr). =sqrt(iDrn*2muN*cOxd(W/L)). 其中gM =muN*cOxd*(W/L)(vGS-vThr). =｛1/2* ...

MOSFET用作小訊號放大元件. 用在線性電路的FET都是偏壓在飽和區(saturation)。由控制GS間的偏壓變化，. 造成DS間電流很大的改變。

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