摻雜(半導體) | 私立大學五星教授網

以一個有晶格結構的矽本徵半導體而言，原子濃度大約是5×1022 cm-3，而一般積體電路製程裡的摻雜濃度約在1013 cm-3至1018 cm-3之間。摻雜濃度在1018 cm-3以上的半導體在室溫 ...

在本章中你將學到. ▫ 半導體的基本性質，特別是矽半導體，目前大. 多數的電子電路都是用此材料來製作成的。 ▫ 摻雜一純半導體如何戲劇性地改變其導電度，.

摻雜物濃度對於半導體最直接的影響在於其載流子濃度。在熱平衡的狀態下，一個未經摻雜的本徵半導體，電子與空穴的濃度相等，如下列公式所示：.

半導體可以利用加入特殊雜質(impurities)的方式，調整他的導電載體種. 類及濃度，這個過程稱做摻雜(doping)。 •四價的矽晶體中，如果少數的矽原子以五價的元素（例如砷As） ...

承例題2.2，若電洞濃度由3.9 x 103 個降至102 個，則當初摻雜磷原子的濃度. 為多少？ 如果將圖2.1 中第Ⅲ族元素硼(B) 加入矽中，由於. 硼元素只有3 個價電子，它只能和 ...

移動率其實與半導體摻雜及傳導通道的狀況相關的，通常摻雜越大，移動. 率越低。 電流之擴散(diffusion) 成份: ○ 載子濃度不但可由摻雜而改變，照光，改變 ...

如果摻雜進入半導體的雜質濃度夠高，半導體也可能會表現出如同金屬導體般（類金屬 ... 代表，公式如下：. m ∗ = ℏ 2 ⋅ [ d 2 E ( k ) d k 2 ] − 1 ...

半導體可以利用加入特殊雜質(impurities)的方式，調整他的導電載體種. 類及濃度，這個過程稱做摻雜(doping)。 •四價的矽晶體中，如果少數的矽原子以五價的元素（例如砷As） ...