〈分析〉一文解析半導體核心材料：光阻劑 | 私立大學五星教授網

光阻劑分為正型光阻及負型光阻，因感光材料特性的關係，顯影結果也會有所差異。 正型光阻其未被光罩覆蓋的光阻區域，在UV照射後，可被顯影液輕易的帶離；反之，若光阻劑在UV照射後，顯影液無法帶離，則為負型光阻劑。

正光阻未被光照的部分在顯影後會被保留，而負光阻膠被感光的部分在顯影後會被保留。 光阻不僅需要對指定的光照敏感，還需要在之後的金屬蝕刻等過程中保持性質穩定。

負光阻及正光阻. 基片. 光阻. 4. 光阻成分. • 高分子. • 溶劑. 1. 溶解高分子. 2. 允許光 ... • 大部分負光阻為聚異戊二烯. （polyisoprene）橡膠. • 經曝光之光阻變成交連 ...

正光阻與負光阻比較. Page 3. 過程介紹. • 噴圖:利用速度、高度、流速來掌控厚度，. 厚度越厚，烤的時間也相對增加，曝光和. 顯影的時間也是相對增加。 • 軟烤:溫度約在90 ...

用的光阻有兩種：. • 正光阻(斷鍵)：被紫外光照射到的部份產生化學反應，. 使得化學鍵結變鬆散而容易被「顯影液」溶解掉。 • 負光阻(交聯)：被紫外光照射到的部份產生化學反應，.

微影的類別 微影根據在顯影過程中曝光區域的去除或保留可分為兩種－正性光阻劑（positive photoresist）和負性光阻劑（negative photoresist）。 正性光阻劑之曝光部分發 ...

對正光阻而言，曝光的部分產生光化學反應，使曝光部分與沒曝光部分於顯影液中的溶解度不同，而使曝光部分被溶解，沒曝光部分則留存。對負光阻而言則作用相反，將使使曝光部分 ...

2019年9月29日 — 負光阻劑是最早被應用在光刻工藝上的光阻劑類型，它擁有工藝成本低、產量高等優點。 但是負光阻劑在吸收顯影液後會膨脹，這會導致其解析度不如正光阻劑。 ...

負光阻的特性則和正光阻相反，. 曝到光的部分之光阻合成高分子之聚合物，而不易被溶去，所以經顯影液處理. 過後，只留下曝到光的部分。在製程方面，負光阻的成本低，產量高，是最 ...