SiC-MOSFET的特徵 | 私立大學五星教授網

碳化矽（Silicon Carbide，簡稱SiC）是一種化學化合物，由矽（silicon，簡稱Si）和碳（carbon，簡稱C）元素組成。它是一種廣泛應用的非金屬材料，因其一些獨特的物理和化學特性而受到 ...

SiC因為利用高速元件構造之多數載子元件(蕭特基二極體與MOSFET)可實現高耐壓，可同時實現「高耐壓」、「低導通電阻」、「高速」。 而且由於能隙約為Si的3 倍寬，可實現即使 ...

我們的碳化矽(SiC) 產品專為綠能、能源儲存系統和電動汽車的新世代產品應用而設計。我們遵循高標準製造這些產品，確保其效能、效率和可靠性均符合預期要求。

台股和美股加總的碳化矽概念股共有12 間公司，包括台積電、安森美、意法半導體、日月光投控、環球晶...等。其他相關概念股還有砷化鎵基板、晶圓製造、碳化矽基板、氮化 ...

SiC由於漂移層的電阻比Si元件低，不須使用傳導度調變，可用高速元件構造之MOSFET以兼顧高耐壓與低電阻。 MOSFET由於在原理上不會產生尾電流，取代IGBT時，可實現開關損耗的大幅 ...

2023年6月2日 — 國巨集團與鴻海5月31日宣布半導體策略新布局！由雙方合資的國創半導體，將把旗下IC、SiC（碳化矽）元件／模組事業，以新台幣2.04億元讓予鴻海集團新設立的IC ...

碳化矽(Silicon Carbide; SiC)材料被視為未來將取代Silicon材料在高功率或 ... 半導體IC. 數(4H-SiC: 3.26eV)，較Si高十倍的耐崩. 電壓與較Si高三倍的熱導係數（且 ...

2024年4月29日 — 碳化矽（SiC）半導體材料由於其優異的電氣特性和高溫耐性，正在被廣泛應用於高效能電子和電力應用領域，SiC功率模組自2020年起因伺服器電源、數據通訊設備、 ...

2023年8月9日 — 第三代半導體，不同於第一代半導體材料（矽Si、鍺Ge）與第二代半導體材料（砷化鎵GsAs、磷化銦InP），第三代半導體的主要材料則為碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）兩種， ...

化學式SiC，構成的化合物半導體材料。而作為功率元件，常見以4 H-SiC最為適合。而作成MOSFET元件的耐電壓範圍是600 V以上、 尤其是1 ...