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2020年10月6日 — 利用化學反應將薄膜予以加工，使獲得特定形狀的作業稱為蝕刻。蝕刻可分為乾式蝕刻與濕式蝕刻兩種。 最常使用的乾式蝕刻為平行板反應性離子蝕刻。

2023年9月27日 — 乾蝕刻（Dry etching）是一種常用於微電子製程中的表面處理技術，用於在固體材料表面上創建微細的結構和圖案。它是一種非液體化學蝕刻方法，使用高能粒子（例如 ...

2024年5月20日 — 半導體濕製程(Semiconductor wet processing)是指使用化學溶液處理半導體材料的過程，濕製程主要用於晶片製造的濕式蝕刻、化學清洗等階段，而半導體濕 ...

「乾式」(電漿) 蝕刻主要用於形成電路的製程步驟；「濕式」蝕刻(使用化學槽浴) 則用於清潔晶圓表面。應材也提供創新式的「乾式」移除製程，不需使用電漿，即可選擇性地移除 ...

蝕刻技術可以分為濕蝕刻(wet etching)與乾蝕刻(dry etching)兩類。濕蝕刻是將晶片浸沒於適當的化學溶液中，或將化學溶淬噴灑至晶片上，經由溶液與被蝕刻物間 ...

蝕刻製程乃是將經過微 影製程在表面定義出IC 電路圖案的晶圓， 以 化學腐蝕反應的方式， 或物理撞擊的方式，或 上述兩種方式的合成效 果，去除部份材質，留 下IC電路結構 ...

乾式蝕刻不僅對產量及蝕刻速率的選擇性高，且化學含量較低，這幾年日漸應用於取代濕式蝕刻。雷射乾蝕刻可應用於尺寸精微、需非接觸加工且高穩定良率，或是少量多樣的生產需求 ...

• 三基本步驟：蝕刻、沖洗、旋乾. 8. 濕式蝕刻的應用. • 濕式蝕刻不可在當CD < 3 µm時進行圖像蝕刻. • 高選擇性. 二氧化矽的濕式蝕刻. 氫氟酸(HF)溶液. 通常稀釋在緩衝液或 ...

氮化矽乾、溼式蝕刻的差異性. 溼式蝕刻：H3PO4(85%)@175℃. 乾式蝕刻：CF4(10 sccm)@ ... 保護製程步驟. 蝕刻製程步驟. 蝕刻原理. 台灣師範大學機電科技學系. C. R. Yang ...