High kmetal gate 金氧半場效電晶體交流電壓下可靠度研究The ... | 私立大學五星教授網

為達效能提昇之目標，電介質材料的日趨薄化是趨勢，但當閘極電介質變薄，其絕緣品質便會降低，漏電流也會發生;假使不加以控制，會使得電晶體脫離完全的”開”及”關”狀態而進入”開”及”漏電”的情況。

2008年6月20日 — High k能減少閘極漏往基極的電流，可節省晶片的功耗用電，使晶片更省電運作。 High k材質既然能提供更佳的絕緣性，那麼SOI的絕緣層也可以使用，將二氧化矽換成 ...

該設備使用HFAlO 材料的High-K. 絕緣膜，閘極漏電流比使用HFSiO 膜降. 低約2 位數。至於最令人擔心的HFAlO. 電子移動度低的弱點，則採用氮化（如. 圖二）與氧化處理 ...

... 高介電常數介電層（high dielectric constant，high-k）已被用來取代二氧化矽，成為目前主流的絕緣層材料。相較於二氧化矽的物理結構，高 ... 缺點是結晶溫度過低（<500 ...

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而反觀高摻雜的Ti缺陷較多，經過 stress 10s後，閘極漏電變小，然而隨時間越長，電子穿過high k會使 得缺陷數變多，電子更容易藉由Frenkel-Poole的機制漏電，因此閘極 漏 ...

隨著半導體元件尺寸縮小進入深次. 微米世代乃至於奈米世代，所面對的技. 術門檻愈形增高；例如常見的問題有. 如：短通道效應、高電場效應、閘極氧. 化層穿隧電流效應…

由 賴逸修 著作 — 由於High-k 材料是由金屬氧化物形成，可能與矽基板反應造成 閘極漏電流增加、High-k 的有效介電常數下降、EOT 增加，當High-k 材料在高溫製程下也有可能發生結晶化現象， ...

由 SH Ho 著作 · 2014 — ... 缺陷出現只有在當通道電子注入到高介電係數絕緣層缺陷中，接著由排出載子時間公式和不同波降時間(tfalling time)，結果顯示電子先從高介電係數絕緣層淺缺陷逃離到通道 ...

2018年8月8日 — High k與si基板會產生較大的介面缺陷而導致mobility降低，故在High k和si基. 本中間會沉積1nmSiO2，使介面缺陷減少。但High k與SiO2仍有介面缺陷而形成.