電漿化學氣相沉積(PECVD) | 私立大學五星教授網

電漿化學氣相沉積(PECVD)在成長薄膜的過程中有化學反應發生，屬於「化學氣相沉積(CVD)」，由於只需要高真空，而且蒸鍍的金屬可以大量快速地在基板上沉積，成本較低適合工廠 ...

電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)是利用反應氣體轉爲電漿狀態時,所產生的活性基及離子的在基板上的化學反應形成薄膜的技術. 使用在化合物半導體及砂半導體製程上的氮化矽的保護 ...

電漿輔助式化學氣相沉積（PECVD）是一種使用電漿的化學氣相沉積(CVD)技術，可為沉積反應提供一些能量。與傳統的CVD方法相比，PECVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜且不會 ...

電漿輔助化學氣相沉積系統B (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition ,PECVD-B) · 1.廠牌型號: SAMCO PD-220N#4123 · 2.購置年限: 2023年5月 · 3.放置地點: 固態電子系統 ...

電漿增強化學氣相沉積法（Plasma-Enhanced CVD，PECVD）：利用電漿增加前驅物的反應速率。PECVD技術允許在低溫的環境下成長，這是半導體製造中廣泛使用PECVD的最重要原因。

等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）是一種利用等離子內的能量在晶片表面引發反應的工藝，否則該反應將需要與常規CVD相關的更高溫度。沉積過程中的高能離子轟擊還可以改善薄膜 ...

儀器名稱. 電漿輔助化學氣相沉積系統(PECVD). Oxford Instrument/Plasmalab System 100. 用途. 薄膜沉積. 非晶矽Amorphous Silicon Deposition; 二氧化矽Silicon ...

電漿輔助化學氣相沉積系統A (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD-A) · 儀器資訊: · 1.廠牌型號: Samco · 2.購置年限: 1998年7月 · 3.放置地點: 固態電子系統 ...

Reliant 系統 化學氣相沉積（CVD） 脈衝雷射沉積（PLD） 電漿輔助化學氣相沉積（PECVD） 高密度電漿化學氣相沉積（HDP-CVD）. 我們的Reliant 沉積產品可實現特殊製程藍圖，並 ...