第四代半導體：氧化鎵 | 私立大學五星教授網

2024年6月21日 — 第四代半導體我們其實叫超禁帶半導體，它分兩個方向，一是超窄禁帶，禁頻寬度（指被束縛的價電子產生本征激發所需要的最小能量）在零點幾電子伏特（eV），比超窄禁 ...

2024年8月23日 — 第四代半導體氧化鎵(Ga2O3) 因其優異的性能，被視為下一代半導體材料的代表。它擁有超寬能隙(4.8 eV)、超高臨界擊穿場強(8 MV/cm) 等特性，較現有的 ...

2024年6月7日 — 氧化鎵的發展前景日益凸顯，該市場目前主要由日本的Novel Crystal Technology (NCT)和Flosfia兩大巨頭壟斷。 NCT自2012年開始投入氧化鎵的研發，成功突破 ...

2022年8月24日 — 目前在所有台灣半導體廠中，唯力積電、閎康有較為超前的第四代半導體佈局進度。 ♢ 力積電攜手日本合作夥伴佈局元宇宙（metaverse） AR、VR 相關市場。目前 ...

2021年11月8日 — 黃董事長更強調，力積電的第四代氧化物半導體將可支援高解析度、低功耗、低雜訊的小尺寸有機發光二極體（OLED）顯示器，力積電其實是潛在的元宇宙概念股。這也 ...

2024年8月26日 — 此次鴻海研究院與陽明交大電子所通力合作，以創新的離子佈植技術成功製造出具備優異電性表現的氧化鎵PN二極體(PN diode)，利用磷離子佈植和快速熱退火技術 ...

2022年12月13日 — 北京科鋭、中鋼國際、電子城：北京銘鎵半導體有限公司是國內率先專業從事第四代（超寬禁帶）半導體氧化鎵材料開發及應用產業化的高科技公司，公司間接參股。

2024年8月23日 — 鴻海(2317-TW) 研究院半導體所，攜手陽明交大電子所，雙方研究團隊在第四代化合物半導體的關鍵技術上取得重大突破，提高了第四代半導體氧化鎵(Ga2O3) 在 ...

2021年7月29日 — FLOSFIA成立於2011主要投資者包括了DENSO、三菱重工以及安川電機；Novel Crystal創立於2015年，主要投資者是田村製作所(Tamura)。除了晶圓製作外，這兩家公司 ...