真空鍍膜技術 | 私立大學五星教授網

其中 任何沈積製程最重要的限制因素是基板加熱。 然而印刷 線路(PW) 之玻璃或環氧樹脂(epoxy-glass)基板溫度 不能超過180°C (350°F)。

其應用範圍來自於技術本身的特性, 濺鍍製程中不會產生其他有害物質, 其膜層表面緻密性也高, 且相較於傳統的濺鍍技術, 目前的濺鍍製程已經可以將工作溫度降至100℃以下, 使得 ...

熱阻式蒸鍍技術的原理是在高真空環境中，將所欲蒸鍍的材料放置在金屬舟（metal boats）或坩鍋（材質可為PBN或石英等）中，利用電流通過加熱體時因電阻產生的溫度對材料做間接加熱 ...

濺鍍的優點是能在較低的溫度下製備高熔點材料的薄膜，在製備合金和化合物薄膜的過程中保持原組成不變，所以在半導體器件和集成電路製造中已獲得廣泛的應用。

真空蒸鍍需要使金屬或金屬氧化物蒸發汽化，而加熱的溫度不能太高，否則，金屬氣體沉積在塑膠基材放熱而燒壞塑膠基材．濺射粒子幾不受重力影響，靶材與基板位置可自由安排,薄膜 ...

2016年3月11日 — A: 蒸鍍是在高真空狀況下，將所要蒸鍍的材料利用電阻或電子束加熱達到熔化溫度，使之熔解然後氣化，此時氣態之薄膜材料之原子或分子因同時具有加溫後的 ...

2024年6月11日 — 1. 濺鍍完成，會自動關閉Shutter、氣體流量、功率、溫度，開啟主閥。 2. 拆下Cable。 3. 製程完成需等抽真空15~20 分鐘，及等待晶片及靶材冷卻至40°C ...

○ 基板溫度(substrate temperature). ○ 結晶性質(crystallinity). ○ 污染. ○ 真空度、通入氣體純度 ... 磁控濺鍍~ 改善靶材濺射率. ○ 磁控濺射係藉由靶背加裝永久磁鐵 ...