Ch5 Oxidation and Diffusion (氧化與擴散) | 私立大學五星教授網

回到製程，摻字訣的目的是把雜質摻入晶圓的某個區塊中，改變該區塊的電氣屬性 ... 經過退火，原本擠成一團的雜質們會擴散開來，均勻分布在一個區塊內，讓那個區塊成為 ...

➢ 擴散製. 程：. 擴散製程一般都是在爐管中進行，在高溫的爐管中放入晶圓，使. 擴散源得以擴散進入晶圓內部。其機台主要為爐管設備，如右. 圖。 摻雜技術. Page 36. 國家 ...

擴散摻雜製程. ▫. 預積(Pre-deposition): B2H6 + 2 O2 → B2O3 + 3 H2O. 2 B2O3 + 3 Si → 3 SiO2 + 4 B. ▫. Thermal oxidation: remove un-reacted gas, oxide ...

由 蘇濬賢 著作 · 2004 — 但在半導體. 擴散製程裡，要讓製程達穩定狀態所需的時間相當長，因此涉及的製. 程其 ... 目的。化學乾式蝕刻. 則是將具反應性的粒子擴散到晶片表面，並藉著與表面物質間的 ...

離子佈植與擴散之比較. 光阻. SiO2. Si. Si ... 離子佈植的製程: 通道效應. • 避免通道效應的方法. – 傾斜晶圓, 通常傾斜角度是7°. – 屏蔽二氧化矽的薄層. • 旋轉晶圓和佈植 ...

離子佈植機之產出受限於. 高摻雜量之植入，特別當與同時可執行200 片晶片之擴散製程相比時則更明顯。 ... 目的。通常回火可同時完成這兩件事，因. 此這兩件事可同時處理。圖 ...

2021年7月8日 — 相較於熱擴散，在寬廣濃度範圍，均能有精確控制. 植入參質數目的能力，且均一性佳、參質穿透深度. 控制良好、低溫製程，缺點是高能離子進入晶體並. 和基板 ...

由 許家維 著作 · 2004 — 本計劃書共分成四章, 第一章為緒論,說明本研究之動機、目的與架構;第二. 章為文獻探討,介紹實驗設計及混酸在半導體業的應用、物理洗淨技術、擴散製. 程等方面之相關文獻; ...