以選擇性磊晶成長法製備釔系高溫超導量子干涉元件之研究 | 私立大學五星教授網

此種製程，已知的是選擇性磊晶CVD，其優點是在絕緣物上，例如氧化矽或氮化矽，的半導體沈積製程的成核率低。這樣的選擇性磊晶CVD另外的優點是，磊晶層相較於非晶矽與多晶矽材料 ...

自90奈米節點以來，採用以原位摻雜(in-situ doping)的應變選擇性磊晶薄膜(strained selective epi film)，就可改善電子遷移率並降低PMOS電晶體內的電阻，提升晶片速度； ...

選擇性成長磊晶是在低壓化學汽相沉積的反應爐中來長矽磊晶膜,所使用的物質是二氯矽烷和氫氣。選擇性成長的成長速率是跟覆蓋在晶圓上的氧化層厚度和分佈有關。

選擇性製程使用特別設計的化學品與材料相互作用，以便精密、準確地沉積及去除目標材料。選擇性沉積是原子級的加法製造，僅將原子放在需要的地方。選擇性去除是原子級的減法 ...

選擇性磊晶成長法(Selective Epitaxial Growth, SEG)製作超導元件是在基板上加鍍一層圖案化之遮罩薄膜，利用遮罩上之超導失去導電性，達成超導薄膜圖案化之選擇性成長 ...

2024年3月16日 — 如實例1-5中可見，在磊晶製程期間，當TCS添加至DCS中時，選擇性生長速率有利地從約23Å/分鐘增大至約31Å/分鐘，改良約35%。同時，磷濃度從每立方公分約2.20x10 ...

應用材料公司的磊晶技術可滿足所有這些應用，生產高均勻度的薄膜、精準放置摻雜原子、極低的缺陷數量，以及具有選擇性沉積的能力。

選擇性磊晶(Selective Epitaxy)將基極層選擇性成長於事先開 好之射極窗口，可以使用自動對準製 程；然而，選擇性磊晶成長會遭遇嚴 重的負載效應，即沉積速率隨晶片上 之圖 ...

由 蔡忠政 著作 · 1992 — 選擇性成長矽磊晶層是在低壓化學汽相沉積的反應爐中來長矽磊晶膜所使用的物質是二氯矽烷和氫氣,我們將討論晶片的準備,沉積的溫度,和二氯矽烷的流速問題.矽磊晶表面的平整與 ...

三五族半導體選擇性區域磊晶成長(Selective epitaxial growth:SEG)技術是一種對於電子元件( Electronic)與光電元件(Optoelectronic device)整合( Integration)非常有用 ...