可印式氧化物半導體薄膜材料的應用 | 私立大學五星教授網

沉積材料有鋁、鋅、金、銀、白金、鎳等金屬材料與可產生光學特性薄膜的材料，主要有使用SiO2、TiO2、ZrO2、MgF2等氧化物與氟化物。 沉積除金屬外，樹脂和樹脂與玻璃也可以 ...

氧化物薄膜電晶體（英語：oxide thin-film transistor (TFT)）是場效應管的一種特殊類型，這種技術把半導體有源層和介電質以薄膜的形式沉積在製成襯底上。氧化物薄膜電晶體 ...

以下列舉幾種電子產業常用的幾種成膜方式與其可能形成的薄膜比較 成膜方式包含:PVD物理氣相沉積、CVD化學氣相沉積、塗佈法、電鍍法 可能形成的薄膜種類:絕緣膜、金屬 ...

鋪字訣的目的是在晶圓上鋪上一層薄膜。依照不同用途，這層薄膜可以是二氧化矽、氮化矽、多晶矽等絕緣體，也可以是金屬。下面舉例幾個 ...

化學的氣體或蒸汽在固體表面反應，在固體 化學的氣體或蒸汽在固體表面反應在固體 表面上生成固態的薄膜，其他負產物為易揮 發的而從表面離開。

2007年12月18日 — 氧化物半導體主要為高能隙的材料，經滲雜高價數陽離子或低價數陰離子形成導電，製成薄膜為主要的透明導電膜成份，其中氧化錫與氧化鋅為主要，使氧化物 ...

2023年6月2日 — 1.原子層沉積技術搭配脈衝離散注入法獲得氧化鋁薄膜​ 氧化鋁薄膜由於其光學、化學以及電學特性，成為廣泛使用於半導體光電製程中的材料。 氧化鋁薄膜常應 ...

由 WC Lee 著作 · 2011 — 本研究運用鎳烯(nickelocene) 和臭氧分別做為原子層沉積技術(Atomic layer deposition, ALD)之反應前驅物來成長氧化鎳薄膜，並對薄膜基本特性進行分析。

化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，簡稱CVD）是一種常見的薄膜成長技術，通常用於固體表面上製造具有特定性質和厚度的薄膜。