磊晶薄膜應變狀態對光電元件造成的影響 | 私立大學五星教授網

磊晶（英語：Epitaxy），是指一種用於半導體元件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱磊晶成長（Epitaxial Growth），或指以磊晶技術成長出 ...

磊晶用於在半導體製造中創造完美的矽晶體基底層，以便在晶體基底層上建構半導體元件、沉積具電性的晶體薄膜，或改變底層的機械特性以改善導電性。

2022年1月3日 — 磊晶是指透過在原有的基板上，長出薄薄一層結晶，以達到強化工作效能的目標。通常在磊晶過程中，會經過2個步驟：先在基板表面沉積化學物質，而後才會在基板上 ...

磊晶(epitaxy)是半導體製程中的重要技術之一。透過將基板放在磊晶設備諸如分子束磊晶系統(molecular beam epitaxy, MBE)或是有機金屬氣相沉積 ...

2023年11月6日 — 第一代適合做成CPU、GPU這類邏輯運算晶片，往下到了二、三代半導體，則適用在光電和高頻、高壓的特殊需求。特別是經過磊晶製程後的磷化銦和砷化鎵，非常適合 ...

固態源. 分子束磊晶法為重要的三五族化合物半導體研發與生產技術，尤其適於精密、複雜的量子結. 構成長。本文介紹三五族化合物半導體分子束磊晶系統的裝置設備，包括真空系統 ...

2023年9月5日 — 碳化矽晶圓的製造流程與矽晶圓有所不同，本文將從碳化矽的原料合成、長晶製程、晶圓製備與磊晶等流程進行說明，另外也將針對晶圓的缺陷、平整度、電阻率、摻 ...

磊晶晶圓是一種可以對應需要結晶完全性或不同阻抗多層結構要求的高品質晶圓。 晶圓加工工程. 產品介紹. 關於半導體矽 ...