6 Photolithography | 私立大學五星教授網

步驟</b>基板的準備 在塗抹光阻之前，矽基板一般需要進行預處理。 ... 光阻的塗抹 在這一步中，需要將光阻均勻、平整地分布在基板表面上。 ... 軟烤 完成光阻的塗抹之後，需要進行軟烤操作，這一步驟也被稱為前烘。 ... 曝光 在這一步中，將使用特定波長的光對覆蓋基板的光阻進行選擇性地照射。 ... 顯影 ... 硬烤 ... 蝕刻或離子佈植 ... 光阻的去除

微影製程是將電路圖案，透過已刻好圖案的光罩及光阻，「轉印」到晶圓上的過程。舉例來說，在已有一層二氧化矽薄膜的晶圓上（見下圖），我們希望在特定位置蝕刻出一個 ...

第七章: 微影製程. • 暫時在晶圓上塗佈光阻劑. • 將設計圖案轉移至光阻劑. • 為IC製程中最重要之步驟. • 占晶圓總製程時間的40 ~50%. 光阻劑. • 光敏感物質.

GDS圖檔送至光罩製作單位後，須註明圖案的範圍與邊界座標、最小線寬，並指定. 透光(Clear)與不透光(Dark)區域。Clear表示製作的光罩繪圖的區域為可透光，而.

將曝光後之晶圓放置於晶圓載台中央，噴入顯影液，進而旋乾，為成顯影動作。 微影製程的流程步驟(下圖)：1.旋轉塗佈光阻、2.軟烘烤、3.

由 吳國裕 著作 · 2007 · 被引用 1 次 — 微影步驟 包含去水烘烤、黏著層塗佈、光阻塗佈、去邊、軟烤、曝光、烘烤、顯影及硬烤等步驟， 目前常見的步進機整合系統如下圖2.9 所示，其中所使用的關鍵材料如下表2-1 ...

（1） 將晶圓主切邊與光罩（如下圖）底部之對準線對齊 （2） 設定曝光距離(Print gap) 20(μm)，對準距離(Align gap) 50μm。 1.2.6. CDA 吹乾 1.2.7. 以光學顯微鏡(OM)初步 ...

列出組成光阻(photoresist)的四個成分. •敘述正光阻(+PR)和負光阻(−PR)的差異. •敘述微影製程(photolithography)的順序. •列出四種對準(alignment)和曝光(exposure) ...