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電子束微影技術(electron beam lithography, EBL) 為下一世代微影(next generation lithography, NGL)關鍵技術之一,其原理為利 用高能量電子束(1 keV-100kV) 在特殊的阻 劑(如PMMA 或ZEP)上直寫定義出圖案,再 藉由顯影的方式得到阻劑結構。

電子束微影（electron beam lithography）指使用電子束在表面上製造圖樣的製程，是微影技術的延伸應用。 微影技術的精度受到光子在波長尺度上的散射影響。 使用的光波長越 ...

2023年4月7日 — 電子束微影(EBL)是一種高解析度的微影技術，透過控制電子束的方向和劑量，在選定的感光材料表面形成高精度的圖案，並經過蝕刻等處理步驟，最終製造出奈米等級 ...

至於PREVAIL之成像原理，則如(圖十)(a)所示。電子束經過簍空（stencil）的光罩，可以被電磁透鏡聚集及縮小四倍邊長後，會導到晶圓表面 ...

傳統電子束微影製程通常包含電子束曝. 光阻劑與後續的溶劑顯影阻劑兩個步驟。因. 此,傳統阻劑之曝光區域並非取決於電子束的. 尺寸,而是決定於電子束與阻劑的散射.

電子束微影技術(electron beam lithography, EBL) 為下一世代微影(next generation lithography, NGL)關鍵技術之一,其原理為利 用高能量電子束(1 keV-100kV) 在特殊的阻 劑(如PMMA 或ZEP)上直寫定義出圖案,再 藉由顯影的方式得到阻劑結構。

由 尤聖涵 著作 · 2009 — 我們共使用三種不同的方式來連接單根奈米線，第一種方法是電子束微影術. (Electron Beam Lithography ) 方式，將奈米線灑在有標誌定位點的基板上，再用. SEM定位座標、塗上正 ...

由 文志昇 著作 · 2010 — 3-4-4 電子束微影. 利用Els 7500 EX進行電子束微影，電子加速電壓為50kV，電流大小為. 600pA，照射時間(dose time)為0.20μs。 3-4-5 顯影. 待微影結束，將基板浸入ZEP-N50 ...

由 饒偉正 著作 · 2015 — 本篇論文主要目的是利用快速顯影的方式來縮減鄰近效應。透過實驗，我們發現了在正向散射的電子當中，又包含了高能量與低能量之兩種不同的電子，在傳統的認知裡面， ...