PECVD法制备SiO2膜均匀性研究 | 私立大學五星教授網

SiO2 has unique chemical and mechanical properties including excellent abrasion resistance, good electrical insulation and low thermal expansion and high ...

實驗結果顯示，PECVD法所蒸鍍的SiO2鍍膜為一表面平坦且緻密的非晶質結構，與玻璃間有良好的的附著性。SiO2鍍膜成長速率隨基板溫度增加而減小，隨R.F.功率和飽和瓶溫度增加而 ...

由 肖和平 著作 · 被引用 2 次 — PECVD 沉积SiO2. 薄. 膜技术广泛用于半导体材料、发光二极管(LED)芯片、集成电路 ... 分析了PECVD法制备的SiO2 薄膜的结构、元素成分和光学特性随工艺条件的不同 ...

以矽酸四乙酯(TEOS)材料在低溫的電漿輔助化學氣相沉積法成長出具有高密度和低應力的SiO2薄膜。針對幾項製程參數包括鍍膜壓力、氧氣流量、TEOS 流量、高低射頻的功率及 ...

由 龙长林 著作 · 2021 · 被引用 2 次 — 摘要: 针对半导体产业对氧化硅薄膜的需求,介绍了采用自制的PECVD设备研究了SiO2薄膜生长的膜厚均匀性分别与喷淋板孔结构和工艺参数之间的关系。

氮化矽和二氧化矽薄膜常用電漿輔助化學氣相沉積（PECVD）技術來製備。這兩種薄膜密度高，化學性呈惰性，並且通常用於積體電路中的鈍化和矽元件的局部氧化層。

由 MI Alayo 著作 · 1998 · 被引用 120 次 — These thick films were grown onto silicon substrates covered by a DPECVD SiO2 buffer layer (obtained in the same condition of high deposition rate Ox-100 sample) ...

(3) SiO2 (SiH4 + N2O) ... (1) 送件時請詳細註明欲沉積之種類及厚度。 (2) PECVD 矽甲烷所沉積之SiNx/SiO2薄膜厚度須小於1mm (3) PECVD TEOS所沉積SiO2薄膜厚度須大於1mm.

由 王敬堯 著作 · 2014 — 利用電漿增強化學氣相沉積製備二氧化矽多層膜應用於有機發光二極體之封裝. The Preparation of SiO2 Multi-layers by Plasma Chemical Vapor Deposition for The ...

由 彭元宗 著作 · 2005 — ASM PECVD 是設計為一次沉積一片晶圓，並且在一次沉積之後跟隨進行一. 次電漿etch clean，此clean 可使沉積在腔體週邊之生成物，藉由電漿及clean gas. CF4 之物理及化學反應， ...