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曝後烤之目的在於促使原本依不同干涉狀況分佈之分解及未分解的感光化合物產生熱擴散，消除曝光可能遇到的駐波效應，使曝光後的光阻與未曝光的光阻在浸泡於顯影液時能夠有更高的蝕刻比，而曝後烤之後，一定要等到晶圓冷卻至室溫後，才能進行接下來的顯影步驟。

... 曝後烤程序，目的是使感光分子進行完整的. 化學連鎖反應，所以依據第一層SU-8 光阻膜厚為31 µm 的條件下，將曝後烤時. 間設定為3 分鐘、溫度為95 °C 進行測試，實驗結果 ...

硬烤(hard bake) 的目的主要為將殘餘的顯影液. 或清洗液蒸乾，並使阻劑中的聚合物結構更緊密以. 減少阻劑的針孔缺陷，增加與晶圓表面的附著力，. 提高抗蝕刻性、抗離子佈植 ...

目的： 1、將光阻溶劑含量降到最低； 2、增加附著力，避免遇酸時剝落； 3、增加對酸的抵抗力； 4、使邊緣平滑，減少缺陷，如孔隙。

硬烤是為了蒸發掉任何殘留的溶劑及硬化光阻,改善光阻對基板的附著性,並移 除任何殘留的顯影劑及水分,達到光阻密實化。 本製作過程在硬烤溫度不足(95℃) 的情形如圖10,組織 ...

由 吳國裕 著作 · 2007 · 被引用 1 次 — 五、曝光後烘烤：以90℃到130℃的溫度烘烤晶圓，目的在重新排列光阻結構以. 降低其駐波效應。 六、顯影：以顯影劑噴灑在經曝光後已有潛在圖案定義的光阻層上，再以高速旋.

曝後烤目的為消除駐波效應與增加SU-8 光阻之. 交聯效應(crosslinking)。加溫過程中，仍然與軟烤方. 式類似，即採用多段式加熱與持溫等方式解決溫差現.

通過在較高溫度下進行烘培，可以使溶劑從光阻中揮發出來（前烘後溶劑含量降至5％左右），從而降低了灰塵的沾污。 同時，這一步驟還可以減輕因高速旋轉形成的薄膜應力，從 ...

6. 曝後烤: 可以有效消除駐波效應(光的干涉使光阻邊緣產生毛邊)，增加微影解析度。烤完. 需靜置冷卻回室溫。 圖四、駐波效應造成光阻邊緣鋸齒狀(參考資料1). 7. 顯影 ...