碳化矽晶體成長技術發展 | 私立大學五星教授網

2022年9月14日 — 國內碳化矽材料的發展，關鍵段即為長晶製造，也連帶可供應的基板不足，要在長晶有所突破，即要從長晶爐開始著手。

2022年8月19日 — 盛新材料日前透露，7月起研發8吋碳化矽晶圓，預計3年後2025年可有明顯成果，盛新材料與母公司廣運集團也合作開發8吋碳化矽長晶爐設備，盛新預估到明年長晶爐建 ...

2023年11月15日 — 目前環球晶有兩台長晶爐，6 吋碳化矽約5000 片。明年會擴到25 個長晶爐，最難的關鍵在長晶爐，目前找天虹科技來製作。 記憶體、消費性電子庫存去 ...

國立中山大學晶體研究中心創全國大專校院之先，目前正自行研發晶體生長設備及相關技術，透過2200oC以上的超高溫生長出碳化矽晶體，是目前國內唯一具備生長6至8吋晶圓設備的 ...

GaN,SiC長晶爐,半導體設備,藍寶石晶棒育成裝置,晶棒育成裝置，日本單結晶育成裝置，SIC-CVD裝置CVD-170型,實現膜厚均一性和世界Top Level成膜速度.

2024年8月5日 — 將反應爐加溫至大約2,300˚C，使得碳化矽粉末昇華並依照晶種的晶格方向結晶於晶種上。長晶的速率隨反應爐的溫度、壓力、溫度梯度及碳化矽粉末和晶種的距離而 ...

要生產出碳化矽（SiC）單晶（monocrystal或single crystal）基板，須從長晶（生長碳化矽單晶）做起，作法是將碳化矽粉體倒入長晶爐，在高溫且密閉的空間使其昇華，讓晶源粉末的蒸汽 ...

2023年10月26日 — 環球晶圓自主設計開發碳化矽專用的長晶爐，在實現更高的材料品質控制的同時，進一步降低長晶成本。 藉由卓越的技術控制、生產效率和持續的研究開發，環球晶圓 ...

2023年10月26日 — 環球晶圓自主設計開發碳化矽專用的長晶爐，在實現更高的材料品質控制的同時進一步降低長晶成本。藉由卓越的技術控制、生產效率和持續的研究開發，環球晶圓 ...