NOR FLASH和NAND FLASH基本结构和特点 | 私立大學五星教授網

穿隧分為兩大機制，一是直接穿隧(Direct-Tunneling)， 二是F-N 穿隧(Fowler-Nordheim Tunneling)。 直接穿隧的電子不需要比能障(Energy Barrier)能 量高，就有穿過能障的 ...

此處使用場致發射。 Fowler-Nordheim 隧穿是電子通過隧穿效應穿過強電場在導體表面形成的圓潤的三角勢壘。 在不同場合下，電子可以通過Fowler-Nordheim 隧穿從許多材料中 ...

描述 半導體中的穿隧效應，一般發生於半導體元件因散熱不佳而過熱時，電荷帶有過多的動能，越過量子能障，產生非預定的電流。 半導體中的電荷包括電子與電洞，基於等效質 ...

擦除操作就是從浮柵中挪走電荷的過程，NOR FLASH和NAND FLASH都是通過F-N隧道效應將浮柵中的電荷挪走的。 讀出操作時，控制柵極上施加的電壓很小，不會改變浮柵中的電荷量，即 ...

由 陳郁如 著作 · 2004 — 利用FN 穿隧機制在閘極端給予一很高的負電壓，汲極和源極接到相對低 電壓，使得NBit 記憶體元件可以從閘極端產生電子。 閘極與汲極、源極的電 壓差於SONOS 結構上，形成一 ...

本篇論文探討著有關閘極穿隧電流對於元件的影響及模型。為了簡化模擬，我們會用佛勒-諾德翰穿隧電流模型(Fowler-Nordheim tunneling current model)為基礎和分析。

由 陳昭睿 著作 · 2008 — 2 F-N 穿隧（Fowler-Nordheim Tunneling ... ＊寫入與抹除原理. 快閃記憶體利用EEPROM 的方法來寫入及清除，是藉由基板(substrate)與控制閘之間. 的電荷的注入/釋出而為 ...

擦除操作就是从浮栅中挪走电荷的过程，NOR FLASH和NAND FLASH都是通过F-N隧道效应将浮栅中的电荷挪走的。 读出操作时，控制栅极上施加的电压很小，不会改变浮栅中的电荷量，即 ...