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正光阻經光線照射後，曝到光的部分，就變得容易溶解，經顯影液處理後， 即不存在，只留下未曝到光部分而形成圖形。 負光阻的特性則和正光阻相反， 曝到光的部分之光阻合成高分子之聚合物，而不易被溶去，所以經顯影液處理 過後，只留下曝到光的部分。

2019年9月29日 — 負光阻劑是最早被應用在光刻工藝上的光阻劑類型，它擁有工藝成本低、產量高等優點。 但是負光阻劑在吸收顯影液後會膨脹，這會導致其解析度不如正光阻劑。

正光阻未被光照的部分在顯影後會被保留，而負光阻膠被感光的部分在顯影後會被保留。 光阻不僅需要對指定的光照敏感，還需要在之後的金屬蝕刻等過程中保持性質穩定。

2020年8月26日 — 正型光阻其未被光罩覆蓋的光阻區域，在UV照射後，可被顯影液輕易的帶離；反之，若光阻劑在UV照射後，顯影液無法帶離，則為負型光阻劑。 光阻劑的技術研發 ...

負光阻及正光阻. 基片. 光阻. 4. 光阻成分. • 高分子. • 溶劑. 1. 溶解高分子. 2. 允許光 ... 缺點. • 由於光阻膨脹使解析度較差. • 環境及安全因素--主要溶劑為二甲苯. 6.

... 光罩都不一樣；此外，光阻也不一定是照光會變得比較容易溶解的「正光阻」，也可以是照光反而會變得堅硬的「負光阻」，端看製程需求而定。 一個光罩不夠，你可以用兩個—多圖案微 ...

正光阻與負光阻比較. Page 3. 過程介紹. • 噴圖:利用速度、高度、流速來掌控厚度，. 厚度越厚，烤的時間也相對增加，曝光和. 顯影的時間也是相對增加。 • 軟烤:溫度約在90 ...

用的光阻有兩種：. • 正光阻(斷鍵)：被紫外光照射到的部份產生化學反應，. 使得化學鍵結變鬆散而容易被「顯影液」溶解掉。 • 負光阻(交聯)：被紫外光照射到的部份產生化學反應，.

由 陳佳慧 著作 · 2004 — 光阻是一種感光的材料可分為正光阻及負光阻，正光阻經曝光顯影. 後，會得到與光罩 ... 而這個固定方法的. 優點是反應相當的快速，簡單。 圖3 . 16 戊二醛固定法 ...

列出組成光阻(photoresist)的四個成分. •敘述正光阻(+PR)和負光阻(−PR)的差異. •敘述微影製程(photolithography)的順序. •列出四種對準(alignment)和曝光(exposure) ...